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삼성전자 "200단 낸드 개발중"…美마이크론 추격에 '메모리 초격차' 청사진 공개

입력 2021/06/08 17:32
수정 2021/06/08 20:37
송재혁 개발실장 뉴스룸 기고

"최소 사이즈 7세대 V낸드 적용
소비자용 SSD 하반기에 출시"

마이크론 7세대 먼저 나왔지만
삼성 칩 크기·성능면에서 월등
차세대 낸드 기술 초격차 유지
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삼성전자 낸드플래시 메모리 개발 총괄 임원이 "200단 이상 초고단 8세대 낸드를 곧 개발해 적기에 제품을 공급하겠다"며 '기술 초격차' 청사진을 공개했다. 최근 미국 마이크론의 급격한 추격으로 메모리 반도체 기술 격차가 좁아지고 있다는 업계 분석이 나온 가운데 메모리 '1강(强)' 위상을 흔들림 없이 지키겠다는 선언으로 풀이된다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 8일 삼성전자 온라인 뉴스룸에 '차세대 낸드플래시가 바꿀 미래'라는 기고문을 올리고 이같이 밝혔다.


그는 "데이터를 저장하는 낸드는 과거 2차원 구조였지만 한계에 부딪혔고 삼성전자는 수직으로 쌓아올린 3차원(3D) 공간에 구멍을 내 각 층을 연결하는 적층(V) 낸드를 세계 최초로 개발했다"고 전했다. 그러면서 "고층 아파트라고 해서 무조건 명품 아파트라 할 수 없듯 V낸드도 층수는 비슷하지만 미세한 차이가 있고, 미세한 차이가 어마어마한 결과를 낳는다"고 썼다. 경쟁사가 176단으로 쌓아올린 7세대 3D V낸드를 삼성전자에 앞서 작년 11월 출시했지만 실질 성능은 삼성전자가 앞선다는 얘기다.

송 부사장은 '낸드의 미세화'를 삼성전자의 우위 근거로 들었다. 그는 "V낸드 초창기는 단수가 낮아 높이에 대한 고민이 필요 없었지만 고집적·대용량 요구로 단수가 올라가며 물리적 한계를 고려해야 하는 상황이 됐다"면서 "삼성전자는 3D 스케일링 기술로 반도체 셀 평면적과 높이를 모두 감소시켜 체적을 35%까지 줄였다. 삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 타사의 100단 초반대(구형) 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다"고 설명했다.


즉, 삼성전자 낸드는 훨씬 대용량·고성능이면서도 칩의 크기·높이는 마이크론 등 경쟁사 구형 제품보다 작고 낮아 효율성이 높다는 것이다.

낸드 분야에서는 한 덩어리로 100단 이상 적층이 가능한 기술을 '싱글스택', 두 덩어리로 쌓아올리는 기술을 '더블스택'이라 부른다. 가능한 한 덩어리로 고층 '아파트'를 쌓아올리되 칩의 면적과 높이를 줄이는 싱글스택이 제품 성능이 높으며 고난도 기술로 평가된다. 삼성전자는 128단 6세대 낸드까지 싱글스택으로 개발했으며, 이론상 256단 이상 싱글스택 낸드도 구현 가능한 것으로 알려져 있다.

송 부사장은 "업계 최소 사이즈 7세대 V낸드를 적용한 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품을 올해 하반기 처음 출시할 계획이다. 데이터센터용 SSD도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다"고 밝혔다.

송 부사장은 차세대 낸드 청사진도 밝혔다. 그는 "이미 200단이 넘는 8세대 V낸드도 동작이 가능한 제품을 확보했다(만들었다)"며 "시장 상황과 고객 요구에 따라 적기에 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"고 밝혔다. 그러면서 "평면의 한계를 극복하기 위해 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 3D 스케일링 기술로 높이의 한계도 가장 먼저 극복할 것"이라고 했다.

[이종혁 기자]
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